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氧化鋁拋光液(CY-L20W)在CMP 硅片的拋光研磨用

   2025-05-23 1688李女士20
核心提示:氧化鋁拋光液(CY-L20W)在CMP(化學機械拋光)硅片的拋光研磨中扮演著重要角色。CMP是半導體硅片表面加工的關鍵技術之一,尤其在0.35μm及以下制程中,它是不可或缺的平坦化工藝,對后續工藝的良率有重要影響。CMP工

氧化鋁拋光液(CY-L20W)CMP(化學機械拋光)硅片的拋光研磨中扮演著重要角色。CMP是半導體硅片表面加工的關鍵技術之一,尤其在0.35μm及以下制程中,它是不可或缺的平坦化工藝,對后續工藝的良率有重要影響。

CMP工藝結合了機械摩擦和化學腐蝕,其中化學腐蝕的主要耗材就是拋光液,而機械摩擦的主要耗材為拋光墊。氧化鋁拋光液作為化學腐蝕的耗材,其主要成分為氧化鋁顆粒和表面活性劑,粒徑一般在0.5-5微米之間,具有良好的拋光效果和低表面能。

CMP工藝中,氧化鋁拋光液的特點包括:

1.懸浮性好,不易沉淀,使用方便。

2.顆粒分散均勻,不團聚,軟硬度適中,有效避免拋光過程中由于顆粒團聚導致的工件表面劃傷缺陷。

3.運用拋光過程中的化學新作用,提高拋光速度,改善拋光表面的質量。

4.分散性好、乳液均一,大程度提升拋光速率的同時降低微劃傷的概率,可以提高拋光精度。

當氧化鋁拋光液(CY-L20W)與機械摩擦的拋光墊共同作用時,可以實現被拋光晶圓表面的高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。這種工藝具有加工成本低、方法簡單、良率高等優點,可以同時兼顧全局和局部平坦化。

以上信息僅供參考,如需更多關于氧化鋁拋光液(CY-L20W)CMP硅片拋光研磨中的專業信息,建議咨詢半導體制造領域的專家或查閱相關文獻資料。

 
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